半导体逻辑嵌入式非易失性存储器（eNVM）知识产权（IP）的领先提供商Kilopass科技股份有限公司今天宣布，公司已成功地将一次性可编程（OTP）非易失性存储器（NVM）技术移植到台积电的16纳米FinFET工艺中。

 

台积电设计基础设施市场部高级主管Suk Lee表示："嵌入式非易失性存储器正日益成为我们的关键客户所开发的系统芯片设计中的重要组成部分。Kilopass将这一技术移植到16FinFET工艺，使我们能向共同客户提供完整的解决方案，节省客户的设计时间，缩小芯片面积，降低芯片功耗。"

 

Kilopass OTP 2T位单元延续了容易制造的特性，并显示出和平面晶体管结构所采用的其他工艺技术有相似的高可靠性和高性能水平。Kilopass的OTP 2T位单元技术适合多种多样的工艺技术，包括低功耗、高电压和高K金属栅极等，可从180纳米轻松扩展到28纳米及28纳米以下的工艺。

 

随着台积电的工艺技术转向FinFET晶体管结构，Kilopass的反熔丝一次性可编程非易失性存储器也被成功地移植到FinFET工艺中。所提供的解决方案还解决了一次性可编程非易失性存储器知识产权用于FinFET技术中所遇到的难题，使台积电和Kilopass的共同客户能更快地将产品推向市场，并保证产品的高品质和高可靠性。

 

Kilopass负责工程技术的副总裁Christophe Chevallier在近日举行的台积电开放创新平台(OIP)论坛上报告了Kilopass OTP 16纳米FinFET存储单元的性能和可靠性数据。